開(kāi)關(guān)電源EMI整改頻段干擾原因及抑制辦法
開(kāi)關(guān)電源EMI整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：
1MHZ以?xún)?nèi)----以差模干擾為主
1.增大X電容量；
2.添加差模電感；
3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共模混合
采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，
1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量;
2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制；
3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。
5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。
對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;
可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).
處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。
對(duì)于20--30MHZ，
1.對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；
2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；
3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
4.改變PCB LAYOUT；
5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。
9. 可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻.
30---50MHZ 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起
1.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻；
2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；
3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決；
4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；
9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起
1.可以在整流管上串磁珠；
2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/P>
4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.
200MHZ以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)
補(bǔ)充說(shuō)明:
開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.
開(kāi)關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對(duì)EMI.,請(qǐng)密切注意此點(diǎn).
開(kāi)關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對(duì)輻射有很大的影響.請(qǐng)密切注意此點(diǎn).
主開(kāi)關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對(duì)EMC有一定的影響.
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